Skúmanie kvality progresívnych polovodičových prvkov pre výkonové aplikácie
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildO3FSN&sid=2D2C61E4341E53665F67113BFA9A&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Skúmanie kvality progresívnych polovodičových prvkov pre výkonové aplikácie
- Vplyv elektrického namáhania na distribúciu porúch v TrenchMOS na báze SiC
- Simulation of Electrical Properties and Reliability of SiC Power Module
- Skúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre výkonové aplikácie
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Modelovanie a simulácia SiC MOSFET tranzistora v podmienkach UIS testu
- Identifikácia porúch v polovodičových štruktúrach pre výkonovú elektroniku