Deep Level Transient Spectroscopy study of emission and capture processes in multilayer semiconductor structures : dát. obhajoby 23.8.2016, č. ved. odboru 5-2-13
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco inglês |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2016
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130779 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Deep Level Transient Spectroscopy study of emission and capture processes in multilayer semiconductor structures :
- Tunable resonant cavity enhanced photodetectors : Diz.práca: Obh. 22.12.1999
- Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach
- Modelovanie robustného senzora tlaku na báze progresívnych polovodičových materiálov
- Vplyv koncentrácie dusíka na kvalitu GaAsN štruktúr pre fotovoltické aplikácie
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Dynamická simulácia MEMS piezoelektrického tlakového senzora